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英特尔10nm被超越!三星最新路线图:5nm成为三星首个超过英特尔10nm的工艺节点

来源:   2019-12-07 04:58

 7nm工艺的产品现已遍地开花,Intel的10nm处理器也总算在商场登陆,不过,关于晶圆巨子们来说,制程之战却越发胶着。 在日前一场技能交流活动中,三星从头修订了未来节点工艺的细节。 英特尔10nm被逾越!三星最新道路图:5nm成为三星首个逾越英特尔10nm的工艺节点 三星称,EUV后,他们将在3nm节点首发GAA MCFET工艺。因为FinFET的约束,估计在5nm节点之后会被替代。 实际上,5nm在三星手中,也仅仅是7nm LPP的改善,可视为导入第二代EUV的一代。7nm LPP向后有三个迭代版别,分别是6nm LPP、5nm LPE和4nm LPE。 相较于年头的道路图,三星6LPP仅仅简略地引进SDB,然后供给了1.18倍的密度改善。另一个改动是删去4LPP节点,在道路图上只留下4LPE。最终,三星将3 GAAE和3 GAAP更名为3 GAE和3 GAP。 英特尔10nm被逾越!三星最新道路图:5nm成为三星首个逾越英特尔10nm的工艺节点 外媒wikichip剖析:关于工艺中心目标,5nm LPE尽管沿袭7nm LPP的晶体管和SRAM,但功能增强了11%,UHD下的密度会挨近130MTr/mm²,比较英特尔的10纳米密度为100MTr/mm²,台积电7nm密度91MTr/mm²,总算成为三星第一个逾越了Intel 10nm和台积电7nm的工艺节点。不过值得一提的是,下一年年头,台积电将晋级其N5节点,该节点的密度比三星供给的任何产品都要高,密度估计为171MTr/mm²。 英特尔10nm被逾越!三星最新道路图:5nm成为三星首个逾越英特尔10nm的工艺节点 三星节点密度 英特尔10nm被逾越!三星最新道路图:5nm成为三星首个逾越英特尔10nm的工艺节点 台积电节点密度 在4nm LPE上,三星能够做到137 MTr/mm²的密度,挨近台积电5nm。
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